| Numune Kimliği (ID) | PROJ-RRAM-2026-DOE |
| Başlık | HfOₓ memristör malzeme taraması — proje planlama defteri |
| Durum | Sürüyor |
| Operatör | Proje yürütücüsü: Dr. S. Aydın |
| Laboratuvar / Tesis | Nano-Aygıt Araştırma Grubu |
| Etiketler | planlama, DOE, RRAM, memristör, TÜBİTAK |
| Notlar | 3 oksijen oranı × 2 üst-elektrot = 6 koşul; her koşul 8 aygıt. Deneysel tasarım (DOE). |
| Araştırma Sorusu | HfOₓ aktif tabakasındaki oksijen kısmi basıncı, RRAM aygıtının SET/RESET gerilimlerini ve dayanıklılığını (endurance) nasıl etkiler? |
| Hipotez | Oksijen-fakir (sub-stoikiyometrik) HfOₓ daha çok oksijen boşluğu içerir → daha düşük forming gerilimi ama daha dar HRS/LRS penceresi. |
| Beklenen Sonuç | Orta oksijen oranında (≈%8 O₂) forming gerilimi ile pencere oranı arasında en iyi denge; >10⁴ döngü dayanıklılık. |
| Bağımsız Değişken | Sıçratma sırasında O₂ kısmi basıncı (%4 / %8 / %12) |
| Bağımlı Değişken | V_SET, V_RESET, R_LRS/R_HRS penceresi, ilk-arıza döngüsü |
| Kontrol Değişkeni | Alt elektrot (TiN), tabaka kalınlığı (10 nm), aygıt alanı (50×50 µm) |
| Kalem | Tedarikçi | Katalog No | Miktar | Birim Fiyat | Durum |
| HfO₂ sıçratma hedefi 3" | Kurt J. Lesker | EJTHFO2-3 | 1 | €780 | Teslim alındı |
| TiN kaplı Si wafer 4" | University Wafer | TIN-100-525 | 10 | €45 | Teslim alındı |
| Pt hedef 2" | Kurt J. Lesker | EJTPT-2 | 1 | €1240 | Sipariş edildi |
| Ti hedef 2" | Kurt J. Lesker | EJTTI-2 | 1 | €210 | Stokta |
| Prob ucu W (10 µm) | GGB Picoprobe | PP-10 | 4 | €95 | Teslim alındı |
| Ad | Rol | Kurum | E-posta | Telefon | ORCID |
| Dr. S. Aydın | Yürütücü | Nano-Aygıt Grubu | [email protected] | +90 312 000 0001 | 0000-0002-1111-2222 |
| B. Çelik | Doktora öğrencisi | Nano-Aygıt Grubu | [email protected] | 0000-0001-3333-4444 | |
| Prof. L. Moreau | Danışman (TEM) | CNRS Grenoble | [email protected] | 0000-0003-5555-6666 |
| Cihaz Adı | Yarıiletken parametre analizörü |
| Model | Keysight B1500A |
| Seri No | MY12345678 |
| Konum | Ölçüm odası 2, prob istasyonu |
| Kalibrasyon Tarihi | 2026-09-30 |
| Ayarlar | WGFMU modülü ile darbeli I-V; akım sınırı 1 mA (forming koruması). |
| Rezervasyon / Kullanıcı | Pzt/Çar/Cum 09:00–13:00 — B. Çelik |
| Kilometre Taşı | Başlangıç | Bitiş | Tamam |
| Hedef + wafer tedariği | 2026-04-01 | 2026-04-15 | ✓ |
| 6 koşul aygıt üretimi | 2026-04-16 | 2026-05-20 | — |
| Elektriksel tarama (forming/endurance) | 2026-05-21 | 2026-06-20 | — |
| TEM kesit + analiz (Grenoble) | 2026-06-21 | 2026-07-15 | — |
| Makale taslağı | 2026-07-16 | 2026-08-30 | — |
| Kaynak | Hedef | Kablo / Port | Sinyal | Not |
| B1500A SMU1 | Üst elektrot probu | triax — Force | V_program (±5 V) | darbeli kaynak |
| B1500A SMU2 | TiN alt elektrot (chuck) | triax — GND | 0 V / akım okuma | ortak topraklı |
| Prob istasyonu | Faraday kafesi | BNC örgü | ekranlama | gürültü bastırma |
| Yazarlar | Wong H.-S. P. ve diğ. |
| Başlık | Metal-Oxide RRAM |
| Dergi / Yayın | Proceedings of the IEEE |
| Yıl | 2012 |
| DOI | 10.1109/JPROC.2012.2190369 |
| URL | https://ieeexplore.ieee.org/document/6193402 |
| İlgi / Not | Forming/SET/RESET mekanizması ve oksijen boşluğu filament modeli için temel. |